徐洲知道，这次的项目有多么重大的意义，不仅仅是一个横向课题而已，夸张一点儿说，甚至会影响到国家未来芯片行业的进展。

相比于之前与彼亚蒂的横向课题，这次的课题都要更加重要许多。

“这一次我们研究的课题，主要是有关芯片原材料的技术。我们需要研究出更好的集成电路硅片平坦化技术，以增加芯片加工过程的效率，保证芯片材料的质量。”

将这项研究交给宁晨和徐洲等人，是非常合适的，因为他们之前便做过很多有关硅的技术，即便放眼全国，他们也算是硅材料领域的专家了。

听到宁晨的话，徐洲也点点头说道：

“是的，为了得到准确的光刻图案，我们必须要提高硅片刻蚀层的面型精度，以及微观表面质量。对于硅片的尺寸，我们有非常严格的要求。”

除了硅片的长、宽、厚度之外，硅片的局部平坦度需要控制在50nm之内，正面的微粗程度，更是要求保持在0.1nm的水平范围上，这是一项并不容易达到的技术要求。

大家经过一番讨论之后，制定了两种主要的研究方向。

第一种研究方向，是在常用的硅片平坦化技术的基础上进行改进。

目前市面上主要的硅片平坦化技术方法，包括热流法、旋转玻璃法、回蚀法、电子环绕共振法、化学机械平坦化等等。

这其中，化学机械平坦化是最为常见，也是最为成熟的方法，在这个方法上进行改进，相对来说也会更加的容易，更有可能取得研究的突破。

而另一种研究方向，便是创造全新的硅片平坦化技术。

这种研究方向并不容易，属于一种完全的创新，所需要做的工作也会多很多，但并不容易取得什么有价值的成果。

包括宁晨在内的实验室成员，也都倾向于第一种研究方案，只是同时保留了第二种研究方向的可能。

“今天回去之后，我们都考虑一下可以尝试的方案。我们优先对于化学机械平坦化的方法进行改进，明天早上来实验室一起讨论可能的实验方案。”

一天的时间，很难做出非常详细的实验方案，当然宁晨也并不是想用一天的时间去解决方案的问题，而是可以把时间线放长一些，只是需要大家每天都进行讨论罢了。

即便是宁晨，也不能仅仅凭借自己的力量去解决各种问题，还是需要与其他人进行交流与合作。

晚上，宁晨回到自己的书房，思考起有关化学机械平坦化技术的改进方案。

宁晨先是总结着，传统化学机械平坦化方法的各种缺点，并尝试着从这些角度上进行优化。

传统的化学机械平坦化技术，因为基于游离磨料、抛光垫和硅片之间的磨损机理，工艺参数比较多、加工过程不是很稳定，不太容易实现自动化的控制，而且生产率也比较低。

与此同时，由于抛光垫是具有一定弹性的有机织物，在抛光时对表面材料去除的选择性不高，会导致产生包括过度抛光、氮化物腐蚀、碟形凹陷等各种各样的缺陷。

除此之外，传统的化学机械平坦化技术还有几种其他的缺陷，而这些都是有可能通过改进来获得提升的。

宁晨在脑海中，快速思考着这些问题的解决方式，同时结合着小智的模型化处理能力，来对自己的这些想法进行基本的测试。